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宏微科技“一種新型大功率NPT IGBT芯片和模塊的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”榮獲中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎-技術(shù)開發(fā)類一等獎
2015年11月6-9號，由中國電源學(xué)會主辦的“中國電源學(xué)會第二十一屆學(xué)術(shù)年會”在深圳成功舉辦。此次會議上，宏微科技申報的“一種新型大功率NPT IGBT芯片和模塊的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”喜獲中國電源學(xué)會科技進步獎-技術(shù)開發(fā)類一等獎。
中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎是為表彰在中國電源領(lǐng)域的科學(xué)研究、技術(shù)創(chuàng)新、新品開發(fā)、科技成果的推廣和應(yīng)用等方面做出突出貢獻的個人和單位。宏微科技獲此殊榮，是中國電源學(xué)會和我國電源行業(yè)對宏微科技在自產(chǎn)IGBT芯片開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面取得成績的充分肯定和鼓勵。宏微科技將一如既往，繼續(xù)努力，為打破進口品牌IGBT長期壟斷局面做出貢獻，促進國產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)化的快速發(fā)展，不辜負廣大電源用戶和功率半導(dǎo)體器件界朋友的期待。
兩年一屆的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會是中國電源界規(guī)模最大、級別最高的電源學(xué)術(shù)盛會，已有30多年歷史，在電源界具有廣泛影響。會議匯聚國內(nèi)外電源界知名學(xué)者、企業(yè)和政府部門的高層人士以及在校研究生等專業(yè)人士，通過大會報告、分會場報告、張貼論文等形式，總結(jié)交流電源技術(shù)各個領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果，展示目前電源技術(shù)的發(fā)展水平，探討今后的發(fā)展方向，促進中國電源產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和技術(shù)進步。